电力电竞下注电子器件总结
电力晶体管GTR，晶闸管SCR，门极可关断晶闸管GTO，控制晶闸管MCT ，静电感应晶体管SIT，静电感应晶闸管SITH，集成门极换流晶闸管IGCT，快恢复二极管FRD，肖特基势垒二极管SBD
电竞下注电力晶体管
电力晶体管（Giant Transistor——GTR，巨型晶体管）
耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor——BJT）
电竞下注20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，但目前又大多被IGBT和电力MOSFET取代
MOS控制晶闸管MCT
MCT结合了二者的优点：
电竞下注承受极高di/dt和du/dt，快速的开关过程，开关损耗小。
高电压，大电流、高载流密度，低导通压降。
一个MCT器件由数以万计的MCT元组成。
电竞下注每个元的组成为：一个PNPN晶闸管，一个控制该晶闸管开通的MOSFET，和一个控制该晶闸管关断的MOSFET。
其关键技术问题没有大的突破电力电子器件应用，电压和电流容量都远未达到预期的数值，未能投入实际应用
静电感应晶体管SIT
多子导电的器件，工作频率与电力MOSFET相当，甚至更高电力电子器件应用，功率容量更大，因而适用于高频大功率场合。
在雷达通信设备、超声波功率放大、脉冲功率放大和高频感应加热等领域获得应用。
缺点：
栅极不加信号时导通电力电子器件应用，加负偏压时关断，称为正常导通型器件，使用不太方便。
通态电阻较大，通态损耗也大，因而还未在大多数电力电子设备中得到广泛应用。
静电感应晶闸管SITH
SITH是两种载流子导电的双极型器件，具有电导调制效应，通态压降低、通流能力强。
其很多特性与GTO类似，但开关速度比GTO高得多，是大容量的快速器件。
SITH一般也是正常导通型，但也有正常关断型。此外电力电子器件应用，电流关断增益较小，因而其应用范围还有待拓展。
集成门极换流晶闸管IGCT
20世纪90年代后期出现，结合了IGBT与GTO的优点，容量与GTO相当，开关速度快10倍。
可省去GTO复杂的缓冲电路，但驱动功率仍很大。
目前正在与IGBT等新型器件激烈竞争，试图最终取代GTO在大功率场合的位置。
晶闸管SCR
可控硅(SCR)是可控硅整流器的简称。可控硅有单向、双向、可关断和光控几种类型。它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、控制方便等优点，被广泛用于可控整流、调压、逆变以及无触点开关等各种自动控制和大功率的电能转换的场合。
一、单向可控硅
单向可控硅是一种可控整流电子元件，能在外部控制信 SCR电子元件
号作用下由关断变为导通，但一旦导通，外部信号就无法使其关断，只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比，单向可控硅正向导通受控制极电流控制；与具有两个PN结的三极管相比，差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用。
二、双向可控硅
电竞下注双向可控硅具有两个方向轮流导通、关断的特性。双向可控硅实质上是两个反并联的单向可控硅，是由NPNPN五层半导体形成四个PN结构成、有三个电极的半导体器件。由于主电极的构造是对称的（都从N层引出），所以它的电极不像单向可控硅那样分别叫阳极和阴极电力电子器件应用，而是把与控制极相近的叫做第一电极A1，另一个叫做第二电极A2。双向可控硅的主要缺点是承受电压上升率的能力较低。这是因为双向可控硅在一个方向导通结束时，硅片在各层中的载流子还没有回到截止状态的位置，必须采取相应的保护措施。双向可控硅元件主要用于交流控制电路，如温度控制、灯光控制、防爆交流开关以及直流电机调速和换向等电路。
